集成电路芯片MR25H128AMDFR串口MRAM

存储器是计算机体系结构中的重要组成部分，对计算机的速度、集成度和功耗等都有决定性的影响。然而，目前的存储器难以同时兼顾各项性能指标，例如，硬盘的存储容量较高，但访问速度较慢(通常为微秒级)。缓存则相反，具有高速和低集成度的特点。

FEATURES
· No write delays
· Unlimited write endurance
· Data retention greater than 20 years
· Automatic data protection on power loss
· Block write protection
· Fast, simple SPI interface with up to 40 MHz clock rate
· 2.7 to 3.6 Volt power supply range
· Low current sleep mode
· Industrial and Automotive temperatures
· Available in 8-pin DFN Small Flag RoHS-compliant package.
· Direct replacement for serial EEPROM, Flash, FeRAM
· Industrial Grade and AEC-Q100 Grade 1 and Grade 3 options
· Moisture Sensitivity MSL-3