Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒,是设计,制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋传递扭矩MRAM(STT-MRAM)的****者,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了**过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品,为**MRAM用户奠定了较强大,增长较快的基础。 FEATURES 2M x 16 MRAM • +3.3 Volt power supply • Fast 35ns read/write cycle (45ns for automotive temperature range) • SRAM compatible timing • Unlimited read & write endurance • Data always non-volatile for >20 years at temperature • RoHS-compliant small footprint 48-pin BGA and TSOP2 package • All products meet MSL-3 moisture sensitivity level • Commercial, Industrial and Automotive temperature ranges available BENEFITS • One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM, NVSRAM and BBSRAM in systems for simpler, more efficient designs • Improves reliability by replacing battery-backed SRAM 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能,因此存储器的选择是一个非常重要的决策。无论系统是采用电池供电还是由市电供电,应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易失性)以及使用目的(存储代码、数据或者两者兼有)。