Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年,Everspin推出业界**款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。 FEATURES 2M x 16 MRAM • +3.3 Volt power supply • Fast 35ns read/write cycle (45ns for automotive temperature range) • SRAM compatible timing • Unlimited read & write endurance • Data always non-volatile for >20 years at temperature • RoHS-compliant small footprint 48-pin BGA and TSOP2 package • All products meet MSL-3 moisture sensitivity level • Commercial, Industrial and Automotive temperature ranges available BENEFITS • One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM, NVSRAM and BBSRAM in systems for simpler, more efficient designs • Improves reliability by replacing battery-backed SRAM 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能,因此存储器的选择是一个非常重要的决策。无论系统是采用电池供电还是由市电供电,应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易失性)以及使用目的(存储代码、数据或者两者兼有)。另外,在选择过程中,存储器的尺寸和成本也是需要考虑的重要因素。