MR2A08AMA35非易失性存储芯片everspin总代理

Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年，Everspin推出业界**款商业化MRAM产品。今日，Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

FEATURES 
· Fast 35ns Read/Write Cycle
· SRAM Compatible Timing, Uses Existing SRAM Controllers Without Redesign
· Unlimited Read & Write Endurance
· Data Always Non-volatile for >20 years at Temperature
· One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBSRAM in System for Simpler, More Efficient Design
· Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate battery assembly, improving reliability
· 3.3 Volt Power Supply
· Automatic Data Protection on Power Loss
· Commercial, Industrial, Automotive Temperatures
· RoHS-Compliant SRAM TSOP2 Package
· RoHS-Compliant SRAM BGA Package
· AEC-Q100 Grade 1 Qualified